大家好,上一节我们讲到了 半导体去胶技术晶圆[等离子]去胶工艺上半部分,今天我们共同学习下半部分的内容。希望能够帮助到大家。
1.等离子干式去胶工艺优势:
彻底去胶且速度快:等离子干法去胶利用高能等离子体处理光刻胶表面,去胶彻底且速度快。
无需引入化学物质:这种方法不需要引入化学物质,从而减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤。
成品率高、工序简单、时间短:等离子体去胶法是一种干式法,具有成品率高、工序简单、时间短的优点。
操作较安全、重复性好:这种方法的操作较安全,重复性好。
无需进行废液处理:等离子体去胶法无需进行废液处理。
环保干净,清洗过程可控性非常强:等离子干刻机的去胶只需气体的参与,无需化学试剂的浸泡,无需烘干,整个处理环保干净,清洗过程可控性非常强。
降低成本,提高产品的良品率以及生产效率:这种工艺还能够降低成本,提高产品的良品率以及生产效率。
2.等离子干式去胶工艺适用多种场景:
半导体晶圆:半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤。
硅基材料:硅基材料的晶圆表面去胶清洗。
砷化镓、氮化镓等:等离子去胶的工作原理是在真空状态下,使得气体产生活性等离子体,以此,在物理、化学双重作用下对清洗的部件如砷化镓、氮化镓等进行表面的轰击。
光刻胶:用于光刻胶去除。
碳化硅:用于碳化硅刻蚀。
硬掩膜层:用于硬掩膜层干法清除。
氧化硅或氮化硅:用于氧化硅或氮化硅刻蚀。
等离子去胶机采用高密度、低损伤等离子源设计,独立腔室结构,用实现均匀的流场分布,去胶均匀性表现优异,达到高水平的去胶速率。它在半导体器件制造过程中起着重要的作用,帮助提高生产效率并保持晶圆的质量。
述所讲解的就是半导体去胶技术晶圆等离子去胶工艺应用的知识。希望看完能够对您有所帮助,艾优威(苏州)光电科技有限公司是专业研发生产各种[Plasma]大气低温[等离子表面处理机厂家]。可满足不同行业的需求,公司拥有日系生产工艺,产品远销韩国、日本、美国、巴西等地。欢迎各界朋友交流指导。如果您想要了解更多关于等离子表面处理机的相关信息的话,欢迎在线咨询客服或是拨打本公司服务热线进行咨询,我们将竭诚为您提供优质的服务!本文部分信息/图片来源于互联网,仅供行业新资讯分享交流用途,勿作商用。如有涉权,请原著人第一时间告知我们,我们将立即删除,谢谢。
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