[等离子]去胶机在晶圆制造工艺中扮演着重要的角色。晶圆去胶是一个重要的步骤,它用于去除晶圆表面的胶层,以便进行后续的加工和制造步骤。
光刻胶(PR, Photo Resist)是半导体晶圆制造的核心材料,在晶圆制程中,光刻工艺约占整个晶圆制造成本的35%,耗时占整个晶圆工艺的40-50%。在光刻环节里有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶,光刻胶去胶工艺在离子植入或刻蚀之后,晶圆表面剩余光刻胶和残余物需要通过去胶工艺进行完全清除。为了清除光刻胶、颗粒、污染物、残余物和其他无用材料,必须在制造过程中对硅片清洗,提高芯片成品率。
半导体光刻胶去除工艺,一般分成两种,湿法去胶和干法去胶。相对于湿法去胶,等离子干法去胶利用高能等离子体处理光刻胶表面,去胶彻底且速度快,不需引入化学物质,减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤,是现有去胶工艺中最好,有效且高效的半导体光刻胶去除工具,具有高效、均匀、无损伤等特点。
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